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中国科学家开发出新材料 可大幅提高电子存储速度

2019-10-09 15:39:26 来源:瑶琳岩窑网 作者:网站编辑 阅读:1335次

目前可商用的相变存储器多使用锗、锑、碲合金材料,其写入速度极限约为50纳秒左右(1纳秒等于1000皮秒)。

日本防卫省负责人表示,“(其他国家)在日本周边的活动持续活跃,警戒监视将力求万无一失”。

吴海涛呼吁在联利团撤出后,国际社会及利比里亚的多、双边合作伙伴继续同利比里亚加强合作,为利比里亚经济社会发展和人民生活改善提供帮助。

相变存储器是一种非易失存储器,可通过脉冲电流让存储材料在晶体和非晶体间转换,以实现读、写、擦操作。由于改变的是材料的物理状态,断电后信息不会消失,有效解决了市场常用的动态随机存储器(DRAM)因断电导致数据丢失的缺点。

作为新型相变材料,钪与碲的化学键稳定,在非晶体到多晶体转化过程中,形成稳定的“八面体”基元,并迅速“成核”生长为多晶体,使存储功耗降低,存储速度提升。

最引人瞩目的还是这样一串数字:“2018年,山西各级纪检监察机关共立案24725件、同比增长42.1%,结案23680件、同比增长40.6%,党纪政务处分23756人、同比增长39.9%,移送司法机关863人、同比增长125.9%,查处县处级及以上干部845人、同比增长64.1%。不仅是数量的增长,还有质量的提升,移送司法机关人员中的93%直接通过检察机关程序和实体审查,进入起诉阶段。在高压震慑和政策感召下,2018年山西全省有576名党员干部主动交代了违纪违法问题”。

美方不仅动用“私刑”欺压别人,更是肆意妄为破坏“村规”。在美方眼里,只有“美国优先”,道义责任皆是浮云,“毁约”“退群”更是家常便饭。昔日世贸规则的主要设计者,如今却成为地地道道的规则“破坏者”。事实面前,世人心里都有一杆秤:霸道的美国才是国际秩序的真正威胁。

宋志棠接受新华社记者采访时说:“团队下一步准备将这种材料用于自主开发的64兆、128兆存储芯片上,验证其大容量、高速应用的可行性,这有望大幅提高缓存速度,为中国自主开发先进存储器铺平道路。”

报道称,李克强与河野洋平的会谈或涉及日本战时历史与责任以及日本的防务政策改革等问题。

探索生态优先、绿色发展的新路子,对于长江经济带上游的集中连片特困地区来说,任务尤其繁重。

新华社北京11月10日电(记者周舟)中国科学家在最新一期美国《科学》杂志上发表报告说,已开发出一种新型相变材料,有望将电子产品的存储速度提高约70倍左右。

相关成果由中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元(PCRAM),这一新材料的写入速度可达700皮秒(一皮秒相当于一万亿分之一秒)。

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